Aller au contenu
AESTECHNO
Brochage

Brochage DDR4 : DIMM 288 broches et SO-DIMM 260 broches

Une DIMM DDR4 compte 288 contacts au pas de 0,85 mm, 144 par face ; une SO-DIMM DDR4 en compte 260 au pas de 0,5 mm, broches impaires au recto et paires au verso. Les deux portent VDD 1,2 V, VPP 2,5 V, VTT pour la terminaison, un bus de données 64 bits plus 8 bits ECC et un bus I2C pour le SPD.

Par Hugues Orgitello · Mis à jour le ·

DIMM DDR4, 288 broches (UDIMM, avec les écarts RDIMM)

Affectation de toutes les broches possibles d’une UDIMM selon Micron ; un module donné n’en câble qu’une partie (ECC, second rang). Recto : broches 1 à 144, de la broche 1 à gauche ; verso : 145 à 288, la broche 145 derrière la broche 1. La colonne RDIMM donne l’affectation Samsung quand elle diffère (= : identique). Pour une LRDIMM, reportez-vous à la fiche du module.

Broche Signal Sens FaceRDIMM Description
1 NC Recto= Non connectée sur UDIMM, RDIMM et LRDIMM ; 12 V sur les modules hybrides et NVDIMM (Non connectée)
2 VSS Recto= Masse (Masse)
3 DQ4 E/S Recto= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
4 VSS Recto= Masse (Masse)
5 DQ0 E/S Recto= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
6 VSS Recto= Masse (Masse)
7 DM0_n/DBI0_n, NC E/S RectoTDQS9_t, DQS9_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 0, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
8 NC RectoTDQS9_c, DQS9_c Non connectée (Non connectée)
9 VSS Recto= Masse (Masse)
10 DQ6 E/S Recto= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
11 VSS Recto= Masse (Masse)
12 DQ2 E/S Recto= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
13 VSS Recto= Masse (Masse)
14 DQ12 E/S Recto= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
15 VSS Recto= Masse (Masse)
16 DQ8 E/S Recto= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
17 VSS Recto= Masse (Masse)
18 DM1_n/DBI1_n, NC E/S RectoTDQS10_t, DQS10_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 1, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
19 NC RectoTDQS10_c, DQS10_c Non connectée (Non connectée)
20 VSS Recto= Masse (Masse)
21 DQ14 E/S Recto= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
22 VSS Recto= Masse (Masse)
23 DQ10 E/S Recto= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
24 VSS Recto= Masse (Masse)
25 DQ20 E/S Recto= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
26 VSS Recto= Masse (Masse)
27 DQ16 E/S Recto= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
28 VSS Recto= Masse (Masse)
29 DM2_n/DBI2_n, NC E/S RectoTDQS11_t, DQS11_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 2, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
30 NC RectoTDQS11_c, DQS11_c Non connectée (Non connectée)
31 VSS Recto= Masse (Masse)
32 DQ22 E/S Recto= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
33 VSS Recto= Masse (Masse)
34 DQ18 E/S Recto= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
35 VSS Recto= Masse (Masse)
36 DQ28 E/S Recto= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
37 VSS Recto= Masse (Masse)
38 DQ24 E/S Recto= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
39 VSS Recto= Masse (Masse)
40 DM3_n/DBI3_n, NC E/S RectoTDQS12_t, DQS12_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 3, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
41 NC RectoTDQS12_c, DQS12_c Non connectée (Non connectée)
42 VSS Recto= Masse (Masse)
43 DQ30 E/S Recto= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
44 VSS Recto= Masse (Masse)
45 DQ26 E/S Recto= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
46 VSS Recto= Masse (Masse)
47 CB4, NC E/S Recto= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
48 VSS Recto= Masse (Masse)
49 CB0, NC E/S Recto= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
50 VSS Recto= Masse (Masse)
51 DM8_n/DBI8_n, NC E/S RectoTDQS17_t, DQS17_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet ECC, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
52 NC RectoTDQS17_c, DQS17_c Non connectée (Non connectée)
53 VSS Recto= Masse (Masse)
54 CB6, NC E/S Recto= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
55 VSS Recto= Masse (Masse)
56 CB2, NC E/S Recto= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
57 VSS Recto= Masse (Masse)
58 RESET_n Entrée Recto= Reset asynchrone, actif bas ; à l’état haut en fonctionnement normal (Signal)
59 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
60 CKE0 Entrée Recto= Validation d’horloge du rang 0 (power-down, self refresh) (Signal)
61 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
62 ACT_n Entrée Recto= Commande ACTIVATE, avec CS_n bas (Signal)
63 BG0 Entrée Recto= Adresse de groupe de banques (Signal)
64 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
65 A12/BC_n Entrée Recto= Adresse A12, et burst chop (BC_n) en lecture et écriture (Signal)
66 A9 Entrée Recto= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
67 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
68 A8 Entrée Recto= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
69 A6 Entrée Recto= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
70 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
71 A3 Entrée Recto= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
72 A1 Entrée Recto= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
73 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
74 CK0_t Entrée Recto= Horloge différentielle 0, positive (_t) (Paire différentielle)
75 CK0_c Entrée Recto= Horloge différentielle 0, négative (_c) (Paire différentielle)
76 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
77 VTT Recto= Alimentation de terminaison des lignes commande, adresse et contrôle, VDD/2 (Alimentation)
78 EVENT_n Sortie Recto= Événement thermique du capteur de température ; sans fonction (NF) sur un module sans capteur (Signal)
79 A0 Entrée Recto= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
80 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
81 BA0 Entrée Recto= Adresse de banque, à l’intérieur du groupe de banques (Signal)
82 RAS_n/A16 Entrée Recto= Commande RAS_n, ou adresse de ligne A16 quand ACT_n est bas (Signal)
83 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
84 CS0_n Entrée Recto= Sélection du rang 0, actif bas (Signal)
85 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
86 CAS_n/A15 Entrée Recto= Commande CAS_n, ou adresse de ligne A15 quand ACT_n est bas (Signal)
87 ODT0 Entrée Recto= Commande de la terminaison intégrée (ODT) du rang 0 (Signal)
88 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
89 CS1_n, NC Entrée Recto= Sélection du rang 1, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
90 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
91 ODT1, NC Entrée Recto= Commande de la terminaison intégrée du rang 1 ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
92 VDD Recto= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
93 NC RectoC0, CS2_n, NC Non connectée (Non connectée)
94 VSS Recto= Masse (Masse)
95 DQ36 E/S Recto= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
96 VSS Recto= Masse (Masse)
97 DQ32 E/S Recto= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
98 VSS Recto= Masse (Masse)
99 DM4_n/DBI4_n, NC E/S RectoTDQS13_t, DQS13_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 4, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
100 NC RectoTDQS13_c, DQS13_c Non connectée (Non connectée)
101 VSS Recto= Masse (Masse)
102 DQ38 E/S Recto= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
103 VSS Recto= Masse (Masse)
104 DQ34 E/S Recto= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
105 VSS Recto= Masse (Masse)
106 DQ44 E/S Recto= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
107 VSS Recto= Masse (Masse)
108 DQ40 E/S Recto= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
109 VSS Recto= Masse (Masse)
110 DM5_n/DBI5_n, NC E/S RectoTDQS14_t, DQS14_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 5, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
111 NC RectoTDQS14_c, DQS14_c Non connectée (Non connectée)
112 VSS Recto= Masse (Masse)
113 DQ46 E/S Recto= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
114 VSS Recto= Masse (Masse)
115 DQ42 E/S Recto= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
116 VSS Recto= Masse (Masse)
117 DQ52 E/S Recto= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
118 VSS Recto= Masse (Masse)
119 DQ48 E/S Recto= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
120 VSS Recto= Masse (Masse)
121 DM6_n/DBI6_n, NC E/S RectoTDQS15_t, DQS15_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 6, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
122 NC RectoTDQS15_c, DQS15_c Non connectée (Non connectée)
123 VSS Recto= Masse (Masse)
124 DQ54 E/S Recto= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
125 VSS Recto= Masse (Masse)
126 DQ50 E/S Recto= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
127 VSS Recto= Masse (Masse)
128 DQ60 E/S Recto= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
129 VSS Recto= Masse (Masse)
130 DQ56 E/S Recto= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
131 VSS Recto= Masse (Masse)
132 DM7_n/DBI7_n, NC E/S RectoTDQS16_t, DQS16_t Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 7, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
133 NC RectoTDQS16_c, DQS16_c Non connectée (Non connectée)
134 VSS Recto= Masse (Masse)
135 DQ62 E/S Recto= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
136 VSS Recto= Masse (Masse)
137 DQ58 E/S Recto= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
138 VSS Recto= Masse (Masse)
139 SA0 Entrée Recto= Adresse I2C de l’EEPROM SPD et du capteur, fixée par la carte hôte pour chaque emplacement (Configuration)
140 SA1 Entrée Recto= Adresse I2C de l’EEPROM SPD et du capteur, fixée par la carte hôte pour chaque emplacement (Configuration)
141 SCL Entrée Recto= Horloge I2C de l’EEPROM SPD et du capteur de température (Signal)
142 VPP Recto= Alimentation d’activation des DRAM, 2,5 V nominal, jamais inférieure à VDD (Alimentation)
143 VPP Recto= Alimentation d’activation des DRAM, 2,5 V nominal, jamais inférieure à VDD (Alimentation)
144 RFU Recto= Réservée pour usage futur (RFU) ; Micron la note NC. À ne pas utiliser (Non connectée)
145 NC Verso= Non connectée sur UDIMM, RDIMM et LRDIMM ; 12 V sur les modules hybrides et NVDIMM (Non connectée)
146 VREFCA Verso= Tension de référence des entrées commande et adresse (Alimentation)
147 VSS Verso= Masse (Masse)
148 DQ5 E/S Verso= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
149 VSS Verso= Masse (Masse)
150 DQ1 E/S Verso= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
151 VSS Verso= Masse (Masse)
152 DQS0_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 0, négatif (_c) (Paire différentielle)
153 DQS0_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 0, positif (_t) (Paire différentielle)
154 VSS Verso= Masse (Masse)
155 DQ7 E/S Verso= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
156 VSS Verso= Masse (Masse)
157 DQ3 E/S Verso= Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
158 VSS Verso= Masse (Masse)
159 DQ13 E/S Verso= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
160 VSS Verso= Masse (Masse)
161 DQ9 E/S Verso= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
162 VSS Verso= Masse (Masse)
163 DQS1_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 1, négatif (_c) (Paire différentielle)
164 DQS1_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 1, positif (_t) (Paire différentielle)
165 VSS Verso= Masse (Masse)
166 DQ15 E/S Verso= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
167 VSS Verso= Masse (Masse)
168 DQ11 E/S Verso= Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
169 VSS Verso= Masse (Masse)
170 DQ21 E/S Verso= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
171 VSS Verso= Masse (Masse)
172 DQ17 E/S Verso= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
173 VSS Verso= Masse (Masse)
174 DQS2_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 2, négatif (_c) (Paire différentielle)
175 DQS2_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 2, positif (_t) (Paire différentielle)
176 VSS Verso= Masse (Masse)
177 DQ23 E/S Verso= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
178 VSS Verso= Masse (Masse)
179 DQ19 E/S Verso= Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
180 VSS Verso= Masse (Masse)
181 DQ29 E/S Verso= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
182 VSS Verso= Masse (Masse)
183 DQ25 E/S Verso= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
184 VSS Verso= Masse (Masse)
185 DQS3_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 3, négatif (_c) (Paire différentielle)
186 DQS3_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 3, positif (_t) (Paire différentielle)
187 VSS Verso= Masse (Masse)
188 DQ31 E/S Verso= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
189 VSS Verso= Masse (Masse)
190 DQ27 E/S Verso= Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
191 VSS Verso= Masse (Masse)
192 CB5, NC E/S Verso= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
193 VSS Verso= Masse (Masse)
194 CB1, NC E/S Verso= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
195 VSS Verso= Masse (Masse)
196 DQS8_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet ECC, négatif (_c) (Paire différentielle)
197 DQS8_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet ECC, positif (_t) (Paire différentielle)
198 VSS Verso= Masse (Masse)
199 CB7, NC E/S Verso= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
200 VSS Verso= Masse (Masse)
201 CB3, NC E/S Verso= Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
202 VSS Verso= Masse (Masse)
203 CKE1, NC Entrée Verso= Validation d’horloge du rang 1 ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
204 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
205 RFU Verso= Réservée pour usage futur (RFU) ; Micron la note NC. À ne pas utiliser (Non connectée)
206 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
207 BG1 Entrée Verso= Adresse de groupe de banques (Signal)
208 ALERT_n Sortie Verso= Alerte : erreur de CRC ou de parité commande/adresse (Signal)
209 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
210 A11 Entrée Verso= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
211 A7 Entrée Verso= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
212 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
213 A5 Entrée Verso= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
214 A4 Entrée Verso= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
215 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
216 A2 Entrée Verso= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
217 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
218 CK1_t Entrée Verso= Horloge différentielle 1, positive (_t) (Paire différentielle)
219 CK1_c Entrée Verso= Horloge différentielle 1, négative (_c) (Paire différentielle)
220 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
221 VTT Verso= Alimentation de terminaison des lignes commande, adresse et contrôle, VDD/2 (Alimentation)
222 PARITY Entrée Verso= Parité des commandes et adresses, activée par le registre de mode MR5 (Signal)
223 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
224 BA1 Entrée Verso= Adresse de banque, à l’intérieur du groupe de banques (Signal)
225 A10/AP Entrée Verso= Adresse A10, et auto-précharge (AP) en lecture et écriture (Signal)
226 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
227 RFU Verso= Réservée pour usage futur (RFU) ; Micron la note NC. À ne pas utiliser (Non connectée)
228 WE_n/A14 Entrée Verso= Commande WE_n, ou adresse de ligne A14 quand ACT_n est bas (Signal)
229 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
230 NC Verso= Non connectée sur UDIMM, RDIMM et LRDIMM ; SAVE_n sur les NVDIMM (Non connectée)
231 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
232 A13 Entrée Verso= Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
233 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
234 NC VersoA17 Non connectée (Non connectée)
235 NC VersoNC, C2 Non connectée (Non connectée)
236 VDD Verso= Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
237 NC VersoNC, CS3_n, C1 Non connectée (Non connectée)
238 SA2 Entrée Verso= Adresse I2C de l’EEPROM SPD et du capteur, fixée par la carte hôte pour chaque emplacement (Configuration)
239 VSS Verso= Masse (Masse)
240 DQ37 E/S Verso= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
241 VSS Verso= Masse (Masse)
242 DQ33 E/S Verso= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
243 VSS Verso= Masse (Masse)
244 DQS4_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 4, négatif (_c) (Paire différentielle)
245 DQS4_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 4, positif (_t) (Paire différentielle)
246 VSS Verso= Masse (Masse)
247 DQ39 E/S Verso= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
248 VSS Verso= Masse (Masse)
249 DQ35 E/S Verso= Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
250 VSS Verso= Masse (Masse)
251 DQ45 E/S Verso= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
252 VSS Verso= Masse (Masse)
253 DQ41 E/S Verso= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
254 VSS Verso= Masse (Masse)
255 DQS5_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 5, négatif (_c) (Paire différentielle)
256 DQS5_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 5, positif (_t) (Paire différentielle)
257 VSS Verso= Masse (Masse)
258 DQ47 E/S Verso= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
259 VSS Verso= Masse (Masse)
260 DQ43 E/S Verso= Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
261 VSS Verso= Masse (Masse)
262 DQ53 E/S Verso= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
263 VSS Verso= Masse (Masse)
264 DQ49 E/S Verso= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
265 VSS Verso= Masse (Masse)
266 DQS6_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 6, négatif (_c) (Paire différentielle)
267 DQS6_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 6, positif (_t) (Paire différentielle)
268 VSS Verso= Masse (Masse)
269 DQ55 E/S Verso= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
270 VSS Verso= Masse (Masse)
271 DQ51 E/S Verso= Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
272 VSS Verso= Masse (Masse)
273 DQ61 E/S Verso= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
274 VSS Verso= Masse (Masse)
275 DQ57 E/S Verso= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
276 VSS Verso= Masse (Masse)
277 DQS7_c E/S Verso= Strobe de données de l’octet 7, négatif (_c) (Paire différentielle)
278 DQS7_t E/S Verso= Strobe de données de l’octet 7, positif (_t) (Paire différentielle)
279 VSS Verso= Masse (Masse)
280 DQ63 E/S Verso= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
281 VSS Verso= Masse (Masse)
282 DQ59 E/S Verso= Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
283 VSS Verso= Masse (Masse)
284 VDDSPD Verso= Alimentation du bus I2C, de l’EEPROM SPD et du capteur de température, 2,5 V nominal (Alimentation)
285 SDA E/S Verso= Données I2C de l’EEPROM SPD et du capteur de température (Signal)
286 VPP Verso= Alimentation d’activation des DRAM, 2,5 V nominal, jamais inférieure à VDD (Alimentation)
287 VPP Verso= Alimentation d’activation des DRAM, 2,5 V nominal, jamais inférieure à VDD (Alimentation)
288 VPP Verso= Alimentation d’activation des DRAM, 2,5 V nominal, jamais inférieure à VDD (Alimentation)

SO-DIMM DDR4, 260 broches

Affectation de toutes les broches possibles d’une SO-DIMM selon Micron, vérifiée sur la fiche Samsung. Broches impaires au recto, paires au verso : la broche 2 est derrière la broche 1. Les broches CB, DQS8 et DM8 ne servent que sur une SO-DIMM avec ECC.

Broche Signal Sens Face Description
1 VSS Recto Masse (Masse)
2 VSS Verso Masse (Masse)
3 DQ5 E/S Recto Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
4 DQ4 E/S Verso Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
5 VSS Recto Masse (Masse)
6 VSS Verso Masse (Masse)
7 DQ1 E/S Recto Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
8 DQ0 E/S Verso Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
9 VSS Recto Masse (Masse)
10 VSS Verso Masse (Masse)
11 DQS0_c E/S Recto Strobe de données de l’octet 0, négatif (_c) (Paire différentielle)
12 DM0_n/DBI0_n E/S Verso Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 0, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
13 DQS0_t E/S Recto Strobe de données de l’octet 0, positif (_t) (Paire différentielle)
14 VSS Verso Masse (Masse)
15 VSS Recto Masse (Masse)
16 DQ6 E/S Verso Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
17 DQ7 E/S Recto Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
18 VSS Verso Masse (Masse)
19 VSS Recto Masse (Masse)
20 DQ2 E/S Verso Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
21 DQ3 E/S Recto Donnée, octet 0 (DQ0 à DQ7) (Signal)
22 VSS Verso Masse (Masse)
23 VSS Recto Masse (Masse)
24 DQ12 E/S Verso Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
25 DQ13 E/S Recto Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
26 VSS Verso Masse (Masse)
27 VSS Recto Masse (Masse)
28 DQ8 E/S Verso Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
29 DQ9 E/S Recto Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
30 VSS Verso Masse (Masse)
31 VSS Recto Masse (Masse)
32 DQS1_c E/S Verso Strobe de données de l’octet 1, négatif (_c) (Paire différentielle)
33 DM1_n/DBI1_n E/S Recto Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 1, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
34 DQS1_t E/S Verso Strobe de données de l’octet 1, positif (_t) (Paire différentielle)
35 VSS Recto Masse (Masse)
36 VSS Verso Masse (Masse)
37 DQ15 E/S Recto Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
38 DQ14 E/S Verso Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
39 VSS Recto Masse (Masse)
40 VSS Verso Masse (Masse)
41 DQ10 E/S Recto Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
42 DQ11 E/S Verso Donnée, octet 1 (DQ8 à DQ15) (Signal)
43 VSS Recto Masse (Masse)
44 VSS Verso Masse (Masse)
45 DQ21 E/S Recto Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
46 DQ20 E/S Verso Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
47 VSS Recto Masse (Masse)
48 VSS Verso Masse (Masse)
49 DQ17 E/S Recto Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
50 DQ16 E/S Verso Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
51 VSS Recto Masse (Masse)
52 VSS Verso Masse (Masse)
53 DQS2_c E/S Recto Strobe de données de l’octet 2, négatif (_c) (Paire différentielle)
54 DM2_n/DBI2_n E/S Verso Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 2, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
55 DQS2_t E/S Recto Strobe de données de l’octet 2, positif (_t) (Paire différentielle)
56 VSS Verso Masse (Masse)
57 VSS Recto Masse (Masse)
58 DQ22 E/S Verso Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
59 DQ23 E/S Recto Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
60 VSS Verso Masse (Masse)
61 VSS Recto Masse (Masse)
62 DQ18 E/S Verso Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
63 DQ19 E/S Recto Donnée, octet 2 (DQ16 à DQ23) (Signal)
64 VSS Verso Masse (Masse)
65 VSS Recto Masse (Masse)
66 DQ28 E/S Verso Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
67 DQ29 E/S Recto Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
68 VSS Verso Masse (Masse)
69 VSS Recto Masse (Masse)
70 DQ24 E/S Verso Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
71 DQ25 E/S Recto Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
72 VSS Verso Masse (Masse)
73 VSS Recto Masse (Masse)
74 DQS3_c E/S Verso Strobe de données de l’octet 3, négatif (_c) (Paire différentielle)
75 DM3_n/DBI3_n E/S Recto Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 3, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
76 DQS3_t E/S Verso Strobe de données de l’octet 3, positif (_t) (Paire différentielle)
77 VSS Recto Masse (Masse)
78 VSS Verso Masse (Masse)
79 DQ30 E/S Recto Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
80 DQ31 E/S Verso Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
81 VSS Recto Masse (Masse)
82 VSS Verso Masse (Masse)
83 DQ26 E/S Recto Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
84 DQ27 E/S Verso Donnée, octet 3 (DQ24 à DQ31) (Signal)
85 VSS Recto Masse (Masse)
86 VSS Verso Masse (Masse)
87 CB5, NC E/S Recto Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
88 CB4, NC E/S Verso Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
89 VSS Recto Masse (Masse)
90 VSS Verso Masse (Masse)
91 CB1, NC E/S Recto Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
92 CB0, NC E/S Verso Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
93 VSS Recto Masse (Masse)
94 VSS Verso Masse (Masse)
95 DQS8_c, NC E/S Recto Strobe de données de l’octet ECC, négatif (_c) ; NC sur un module sans ECC (Paire différentielle)
96 DM8_n/DBI8_n, NC E/S Verso Masque d’écriture ou inversion de bus de l’octet ECC, actif bas ; NC sur un module sans ECC (Signal)
97 DQS8_t, NC E/S Recto Strobe de données de l’octet ECC, positif (_t) ; NC sur un module sans ECC (Paire différentielle)
98 VSS Verso Masse (Masse)
99 VSS Recto Masse (Masse)
100 CB6, NC E/S Verso Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
101 CB2, NC E/S Recto Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
102 VSS Verso Masse (Masse)
103 VSS Recto Masse (Masse)
104 CB7, NC E/S Verso Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
105 CB3, NC E/S Recto Bit de contrôle ECC (modules x72 avec ECC) ; NC sur un module sans ECC (Signal)
106 VSS Verso Masse (Masse)
107 VSS Recto Masse (Masse)
108 RESET_n Entrée Verso Reset asynchrone, actif bas ; à l’état haut en fonctionnement normal (Signal)
109 CKE0 Entrée Recto Validation d’horloge du rang 0 (power-down, self refresh) (Signal)
110 CKE1, NC Entrée Verso Validation d’horloge du rang 1 ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
111 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
112 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
113 BG1 Entrée Recto Adresse de groupe de banques (Signal)
114 ACT_n Entrée Verso Commande ACTIVATE, avec CS_n bas (Signal)
115 BG0 Entrée Recto Adresse de groupe de banques (Signal)
116 ALERT_n Sortie Verso Alerte : erreur de CRC ou de parité commande/adresse (Signal)
117 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
118 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
119 A12 Entrée Recto Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
120 A11 Entrée Verso Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
121 A9 Entrée Recto Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
122 A7 Entrée Verso Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
123 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
124 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
125 A8 Entrée Recto Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
126 A5 Entrée Verso Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
127 A6 Entrée Recto Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
128 A4 Entrée Verso Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
129 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
130 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
131 A3 Entrée Recto Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
132 A2 Entrée Verso Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
133 A1 Entrée Recto Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
134 EVENT_n Sortie Verso Événement thermique du capteur de température ; sans fonction (NF) sur un module sans capteur (Signal)
135 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
136 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
137 CK0_t Entrée Recto Horloge différentielle 0, positive (_t) (Paire différentielle)
138 CK1_t Entrée Verso Horloge différentielle 1, positive (_t) ; sans fonction (NF) sur certains modules (Paire différentielle)
139 CK0_c Entrée Recto Horloge différentielle 0, négative (_c) (Paire différentielle)
140 CK1_c Entrée Verso Horloge différentielle 1, négative (_c) ; sans fonction (NF) sur certains modules (Paire différentielle)
141 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
142 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
143 PARITY Entrée Recto Parité des commandes et adresses, activée par le registre de mode MR5 (Signal)
144 A0 Entrée Verso Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
145 BA1 Entrée Recto Adresse de banque, à l’intérieur du groupe de banques (Signal)
146 A10/AP Entrée Verso Adresse A10, et auto-précharge (AP) en lecture et écriture (Signal)
147 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
148 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
149 CS0_n Entrée Recto Sélection du rang 0, actif bas (Signal)
150 BA0 Entrée Verso Adresse de banque, à l’intérieur du groupe de banques (Signal)
151 WE_n/A14 Entrée Recto Commande WE_n, ou adresse de ligne A14 quand ACT_n est bas (Signal)
152 RAS_n/A16 Entrée Verso Commande RAS_n, ou adresse de ligne A16 quand ACT_n est bas (Signal)
153 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
154 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
155 ODT0 Entrée Recto Commande de la terminaison intégrée (ODT) du rang 0 (Signal)
156 CAS_n/A15 Entrée Verso Commande CAS_n, ou adresse de ligne A15 quand ACT_n est bas (Signal)
157 CS1_n, NC Entrée Recto Sélection du rang 1, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
158 A13 Entrée Verso Adresse : ligne pendant ACTIVATE, colonne en lecture et écriture, code opération en MODE REGISTER SET (Signal)
159 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
160 VDD Verso Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
161 ODT1, NC Entrée Recto Commande de la terminaison intégrée du rang 1 ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
162 C0, CS2_n, NC Entrée Verso ID de puce C0 pour DRAM empilées (3DS), ou sélection CS2_n ; NC sinon (Signal)
163 VDD Recto Alimentation des DRAM, 1,2 V nominal (VDDQ est reliée à VDD sur le module) (Alimentation)
164 VREFCA Verso Tension de référence des entrées commande et adresse (Alimentation)
165 C1, CS3_n, NC Entrée Recto ID de puce C1 pour DRAM empilées (3DS), ou sélection CS3_n ; NC sinon (Signal)
166 SA2 Entrée Verso Adresse I2C de l’EEPROM SPD et du capteur, fixée par la carte hôte pour chaque emplacement (Configuration)
167 VSS Recto Masse (Masse)
168 VSS Verso Masse (Masse)
169 DQ37 E/S Recto Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
170 DQ36 E/S Verso Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
171 VSS Recto Masse (Masse)
172 VSS Verso Masse (Masse)
173 DQ33 E/S Recto Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
174 DQ32 E/S Verso Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
175 VSS Recto Masse (Masse)
176 VSS Verso Masse (Masse)
177 DQS4_c E/S Recto Strobe de données de l’octet 4, négatif (_c) (Paire différentielle)
178 DM4_n/DBI4_n E/S Verso Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 4, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
179 DQS4_t E/S Recto Strobe de données de l’octet 4, positif (_t) (Paire différentielle)
180 VSS Verso Masse (Masse)
181 VSS Recto Masse (Masse)
182 DQ39 E/S Verso Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
183 DQ38 E/S Recto Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
184 VSS Verso Masse (Masse)
185 VSS Recto Masse (Masse)
186 DQ35 E/S Verso Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
187 DQ34 E/S Recto Donnée, octet 4 (DQ32 à DQ39) (Signal)
188 VSS Verso Masse (Masse)
189 VSS Recto Masse (Masse)
190 DQ45 E/S Verso Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
191 DQ44 E/S Recto Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
192 VSS Verso Masse (Masse)
193 VSS Recto Masse (Masse)
194 DQ41 E/S Verso Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
195 DQ40 E/S Recto Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
196 VSS Verso Masse (Masse)
197 VSS Recto Masse (Masse)
198 DQS5_c E/S Verso Strobe de données de l’octet 5, négatif (_c) (Paire différentielle)
199 DM5_n/DBI5_n E/S Recto Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 5, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
200 DQS5_t E/S Verso Strobe de données de l’octet 5, positif (_t) (Paire différentielle)
201 VSS Recto Masse (Masse)
202 VSS Verso Masse (Masse)
203 DQ46 E/S Recto Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
204 DQ47 E/S Verso Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
205 VSS Recto Masse (Masse)
206 VSS Verso Masse (Masse)
207 DQ42 E/S Recto Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
208 DQ43 E/S Verso Donnée, octet 5 (DQ40 à DQ47) (Signal)
209 VSS Recto Masse (Masse)
210 VSS Verso Masse (Masse)
211 DQ52 E/S Recto Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
212 DQ53 E/S Verso Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
213 VSS Recto Masse (Masse)
214 VSS Verso Masse (Masse)
215 DQ49 E/S Recto Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
216 DQ48 E/S Verso Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
217 VSS Recto Masse (Masse)
218 VSS Verso Masse (Masse)
219 DQS6_c E/S Recto Strobe de données de l’octet 6, négatif (_c) (Paire différentielle)
220 DM6_n/DBI6_n E/S Verso Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 6, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
221 DQS6_t E/S Recto Strobe de données de l’octet 6, positif (_t) (Paire différentielle)
222 VSS Verso Masse (Masse)
223 VSS Recto Masse (Masse)
224 DQ54 E/S Verso Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
225 DQ55 E/S Recto Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
226 VSS Verso Masse (Masse)
227 VSS Recto Masse (Masse)
228 DQ50 E/S Verso Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
229 DQ51 E/S Recto Donnée, octet 6 (DQ48 à DQ55) (Signal)
230 VSS Verso Masse (Masse)
231 VSS Recto Masse (Masse)
232 DQ60 E/S Verso Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
233 DQ61 E/S Recto Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
234 VSS Verso Masse (Masse)
235 VSS Recto Masse (Masse)
236 DQ57 E/S Verso Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
237 DQ56 E/S Recto Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
238 VSS Verso Masse (Masse)
239 VSS Recto Masse (Masse)
240 DQS7_c E/S Verso Strobe de données de l’octet 7, négatif (_c) (Paire différentielle)
241 DM7_n/DBI7_n E/S Recto Masque d’écriture (DM_n) ou inversion de bus (DBI_n) de l’octet 7, actif bas ; NC sur les modules qui ne l’utilisent pas (Signal)
242 DQS7_t E/S Verso Strobe de données de l’octet 7, positif (_t) (Paire différentielle)
243 VSS Recto Masse (Masse)
244 VSS Verso Masse (Masse)
245 DQ62 E/S Recto Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
246 DQ63 E/S Verso Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
247 VSS Recto Masse (Masse)
248 VSS Verso Masse (Masse)
249 DQ58 E/S Recto Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
250 DQ59 E/S Verso Donnée, octet 7 (DQ56 à DQ63) (Signal)
251 VSS Recto Masse (Masse)
252 VSS Verso Masse (Masse)
253 SCL Entrée Recto Horloge I2C de l’EEPROM SPD et du capteur de température (Signal)
254 SDA E/S Verso Données I2C de l’EEPROM SPD et du capteur de température (Signal)
255 VDDSPD Recto Alimentation du bus I2C, de l’EEPROM SPD et du capteur de température, 2,5 V nominal (Alimentation)
256 SA0 Entrée Verso Adresse I2C de l’EEPROM SPD et du capteur, fixée par la carte hôte pour chaque emplacement (Configuration)
257 VPP Recto Alimentation d’activation des DRAM, 2,5 V nominal, jamais inférieure à VDD (Alimentation)
258 VTT Verso Alimentation de terminaison des lignes commande, adresse et contrôle, VDD/2 (Alimentation)
259 VPP Recto Alimentation d’activation des DRAM, 2,5 V nominal, jamais inférieure à VDD (Alimentation)
260 SA1 Entrée Verso Adresse I2C de l’EEPROM SPD et du capteur, fixée par la carte hôte pour chaque emplacement (Configuration)
Une interface à concevoir ?

Un emplacement DIMM ou SO-DIMM DDR4 à intégrer, un routage fly-by à valider ? Nous routons des interfaces DDR et LPDDR4 et vérifions leur intégrité de signal avant fabrication.

Disposition des contacts et position du détrompeur

DIMM 288 broches : carte de 133,35 mm, 144 contacts par face au pas de 0,85 mm. Le recto porte les broches 1 à 144, le verso les broches 145 à 288, la broche 145 étant derrière la broche 1. Le détrompeur n’est pas au centre : les cotes Micron et Samsung (64,60 mm puis 56,10 mm de part et d’autre de l’encoche) donnent 77 contacts d’un côté et 67 de l’autre. Il tombe donc entre les broches 77 et 78 au recto, et entre 221 et 222 au verso.

Le bord de la DIMM DDR4 n’est pas rectiligne : sur le dessin Samsung, les contacts de la zone centrale mesurent 2,6 mm et ceux des extrémités 2,1 mm, la transition s’étalant sur une dizaine de millimètres près de chaque extrémité (détails C et D du dessin).

SO-DIMM 260 broches : carte de 69,60 mm, 130 contacts par face au pas de 0,5 mm, broches impaires au recto et paires au verso. Les cotes (35,50 mm et 28,50 mm) placent 72 contacts du côté de la broche 1 et 58 de l’autre : le détrompeur se trouve entre les broches 143 et 145 au recto, et entre 144 et 146 au verso.

Alimentations : VDD 1,2 V, VPP 2,5 V, VTT et VREFCA

Selon Micron, VDD vaut 1,2 V nominal et alimente aussi les entrées-sorties (VDDQ est reliée à VDD sur le module). VPP, à 2,5 V (-0,125 V / +0,250 V), est l’alimentation d’activation des DRAM et doit rester supérieure ou égale à VDD à tout instant, mise sous tension comprise. La DIMM porte cinq broches VPP, la SO-DIMM deux.

VTT termine les lignes commande, adresse et contrôle au bout de la chaîne ; elle vaut VDD/2, soit 0,6 V selon Samsung. VREFCA sert de seuil aux entrées commande et adresse ; Micron impose qu’elle ne dépasse jamais 0,6 x VDD.

SPD, capteur de température et adresses SA0 à SA2

Chaque module porte une EEPROM SPD (EE1004 selon la norme JEDEC citée par Micron), souvent associée à un capteur de température, sur un bus I2C (SCL, SDA) alimenté par VDDSPD à 2,5 V. Le contrôleur y lit le type de module et ses timings : l’octet 3 du SPD donne par exemple le type de module (UDIMM sur la fiche Advantech).

Les broches SA0, SA1 et SA2 fixent la plage d’adresses I2C du SPD et du capteur. Avec plusieurs emplacements sur le même bus, nous câblons une combinaison différente par connecteur côté carte hôte. Micron précise aussi qu’une horloge I2C au-delà de 100 kHz peut exiger VDDSPD inférieure ou égale à 2,2 V.

EVENT_n signale un dépassement de seuil thermique et n’a pas de fonction sur un module sans capteur. ALERT_n signale une erreur de CRC ou de parité commande/adresse ; PARITY porte la parité calculée par le contrôleur quand la fonction est activée dans MR5.

Topologie fly-by : ce que le brochage implique pour le routage

Les modules DDR4 utilisent une topologie fly-by (fiches Micron) : horloge, adresses, commandes et contrôles passent en chaîne d’une DRAM à l’autre, puis sont terminés sur VTT à l’extrémité. Les données, elles, vont en point à point, un octet et sa paire DQS_t/DQS_c par puce. Chaque DRAM reçoit donc l’horloge avec un retard différent, alors que ses données arrivent par un chemin direct.

Sur la carte hôte, nous traitons donc chaque octet (8 DQ, DM_n/DBI_n et sa paire DQS) comme un groupe apparié en longueur, et les paires CK_t/CK_c et DQS comme des paires différentielles à impédance contrôlée. À l’intérieur d’un octet, les bits ne suivent pas forcément l’ordre des puces : la table de correspondance DQ de Micron relie par exemple le DQ0 de la puce U1 au DQ3 du module (broche 157).

UDIMM ou RDIMM : les broches qui changent

Sur une RDIMM, adresses, commandes et horloges entrent dans un registre qui les redistribue aux DRAM (fiche Samsung). Le brochage reste en grande partie celui de l’UDIMM ; les différences sont dans la colonne RDIMM : les broches DM_n/DBI_n et leurs voisines NC deviennent les strobes DQS9 à DQS17 des modules à DRAM x4 (TDQS pour les x8), la broche 234 devient A17, et les broches 93, 235 et 237 portent les ID de puce C0 à C2 des DRAM empilées.

Kingston souligne qu’en DDR4, contrairement à la DDR5, UDIMM et RDIMM partagent la même position de détrompeur. Une RDIMM entre donc physiquement dans un emplacement prévu pour des UDIMM : c’est le contrôleur mémoire, qui lit le type de module dans le SPD, qui doit prendre en charge les modules registered.

Pourquoi DDR3, DDR4 et DDR5 ne sont pas interchangeables

Une DIMM DDR3 compte 240 contacts contre 288 en DDR4 (TE Connectivity) : la carte n’a ni la même longueur de peigne ni le même détrompeur. La DIMM DDR5 garde 288 contacts, mais Kingston indique que l’encoche est déplacée pour empêcher l’insertion d’une DDR4, et la SO-DIMM DDR5 passe à 262 contacts. Les tensions diffèrent aussi : 1,2 V en DDR4, 1,1 V en DDR5 avec un régulateur (PMIC) sur le module. Le détrompeur protège donc le module autant que la carte hôte.

Les trois DIMM mesurent 133,35 mm de long, seule l’encoche les distingue à l’œil. Sur les dessins des fiches, vu de face broche 1 à gauche, le centre de l’encoche est à 54,68 mm du bord gauche en DDR3 (Micron), 72,25 mm en DDR4 (Micron) et 68,10 mm en DDR5 (ADATA et Advantech). L’écart va de 4,15 mm (DDR4 contre DDR5) à 17,57 mm (DDR4 contre DDR3). La SO-DIMM DDR4, environ deux fois plus courte, a son encoche à 38,3 mm du bord.

Contours à l’échelle, vus de face, broche 1 à gauche : DIMM DDR4 288 broches, SO-DIMM DDR4 260 broches, DIMM DDR3 240 broches et DIMM DDR5 288 broches (UDIMM). DIMM DDR4, 288 broches · 133,35 × 31,25 mm broches 77/78 SO-DIMM DDR4, 260 broches · 69,6 × 30 mm broches 143/145 DIMM DDR3, 240 broches · 133,35 × 30,18 mm broches 48/49 DIMM DDR5, 288 broches (UDIMM) · 133,35 × 31,25 mm broches 75/76
Contours à l’échelle, vus de face, broche 1 à gauche : DIMM DDR4 288 broches, SO-DIMM DDR4 260 broches, DIMM DDR3 240 broches et DIMM DDR5 288 broches (UDIMM). DDR4 DIMM : Micron MTA4ATF51264AZ figure 3 (longueur 133,22-133,48 mm, hauteur 31,10-31,40 mm, centre d’encoche à 72,25 mm, rayon 0,75 mm) et Samsung M393A2K40BB0 section 18 (133,35 x 31,25 mm, encoche 1,50 x 3,85 mm). DDR4 SO-DIMM : Samsung SODIMM Rev. 2.2 section 18 (69,60 x 30,00 mm, encoche 1,00 x 4,00 mm) et Micron MTA8ATF1G64HZ figure 3 (centre d’encoche à 38,3 mm du bord côté broche 1). DDR3 : Micron MT9JSF12872AZ figure 5 (133,20-133,50 x 29,85-30,50 mm, milieu retenu ; centre d’encoche à 54,68 mm, rayon 0,76 mm ; profondeur non cotée). DDR5 : ADATA DDR5 U-DIMM section 12.0 et Advantech AQD-D5V16GN56-HB (133,35 x 31,25 mm, encoche 1,50 x 3,85 mm, centre à 1,425 mm à droite du milieu, soit 68,10 mm).
Questions fréquentes

FAQ

Une barrette DDR4 entre-t-elle dans un emplacement DDR3 ou DDR5 ?
Non. La DDR3 a 240 contacts et un autre détrompeur. La DDR5 a aussi 288 contacts mais son encoche est déplacée, précisément pour empêcher l’insertion d’une DDR4, dont les tensions et le brochage diffèrent.
Où se trouve le détrompeur d’une DIMM DDR4 ?
Il est décalé par rapport au centre : entre les broches 77 et 78 au recto, et entre 221 et 222 au verso, soit 77 contacts du côté de la broche 1 et 67 de l’autre, d’après les cotes des fiches Micron et Samsung. Sur la SO-DIMM, il se trouve entre les broches 143 et 145 (recto) et 144 et 146 (verso).
UDIMM et RDIMM DDR4 sont-elles interchangeables ?
Mécaniquement oui, le détrompeur est le même. Électriquement non : une RDIMM fait passer adresses et commandes par un registre et utilise certaines broches autrement (DQS9 à DQS17, A17, C0 à C2). Le contrôleur doit prendre en charge le type de module lu dans le SPD.
À quoi servent les broches SA0, SA1 et SA2 ?
Elles fixent l’adresse I2C de l’EEPROM SPD et du capteur de température du module. La carte hôte les câble différemment pour chaque emplacement, afin que plusieurs modules partagent le même bus SCL/SDA sans conflit.
Pourquoi la DDR4 a-t-elle besoin de VPP à 2,5 V en plus de VDD ?
Micron décrit VPP comme l’alimentation d’activation des DRAM : c’est un rail distinct, à 2,5 V nominal, qui ne remplace pas VDD à 1,2 V. Micron exige que VPP reste supérieure ou égale à VDD à tout instant : le séquencement des alimentations de la carte hôte doit le garantir.
Sources

Tableaux établis à partir de ces documents et recoupés avec les fiches techniques des fabricants. Vérifiez toujours la fiche technique du connecteur que vous utilisez : certains fabricants numérotent différemment.

Pour aller plus loin

Autres brochages